Nasze serwisy używają informacji zapisanych w plikach cookies. Korzystając z serwisu wyrażasz zgodę na używanie plików cookies zgodnie z aktualnymi ustawieniami przeglądarki, które możesz zmienić w dowolnej chwili. Więcej informacji odnośnie plików cookies.

Obowiązek informacyjny wynikający z Ustawy z dnia 16 listopada 2012 r. o zmianie ustawy – Prawo telekomunikacyjne oraz niektórych innych ustaw.

Wyłącz komunikat

 
 

Logowanie

Logowanie za pomocą Centralnej Usługi Uwierzytelniania PRz. Po zakończeniu pracy nie zapomnij zamknąć przeglądarki.

Budownictwo i Inżynieria Środowiska

Budownictwo i Inżynieria Środowiska
2015.57, DOI: 10.7862/rb.2015.57

WPŁYW TRAWIENIA PLAZMĄ NA WYBRANE PARAMETRY CIENKICH WARSTW CdTe i SnO2 DLA ZASTOSOWAŃ FOTOWOLTAICZNYCH

Roman LICHOGRAJ, Jan Marian OLCHOWIK, Piotr LICHOGRAJ, Sławomir CZERNIK

DOI: 10.7862/rb.2015.57

Streszczenie

Powszechnie wiadomo, iż w oddziaływaniu fotonów z materią może dojść do odbicia,
absorbcji i przenikania. W rozwiązaniach fotowoltaicznych, możliwość pomiaru
i kontroli tych zjawisk na poziomie badań i produkcji ma kluczowe znaczenie
w odniesieniu do ich późniejszej wydajności. Możliwość kontroli grubości
warstw w czasie ich nanoszenia metodą napylania magnetronowego, czy też ich
redukowania stosując trawienie plazmą, pozwala na dobór optymalnych parametrów
optycznych i elektrycznych tworzonych ogniw cienkowarstwowych. W niniejszej
pracy trawiono plazmą cienkie warstwy CdTe i SnO2, naniesione we
wcześniejszym etapie metodą rozpylania magnetronowego w próżni. Określono
parametry technologiczne napylania magnetronowego i trawienia plazmą wpływające
na właściwości warstw. Warstwy obrazowano przy użyciu AFM, natomiast
pomiary grubości i pomiary współczynnika odbicia dokonano z wykorzystaniem
elipsometrii. Przeprowadzone badania wykazały, że trawienie plazmą cienkich
warstw w istotny sposób wpływa na zmianę ich refleksyjności (zarówno warstwy
półprzewodnika ditlenku cyny jak i tellurku kadmu). Wykazano również ścisły
związek użytej mocy i czasu trawienia z redukcją grubości warstwy. Obrazowanie
AFM uwidoczniło zmiany w wielkości i ilości ziaren powierzchni trawionych
warstw i wzrost ich nieregularności ułożenia, wraz ze zmieniającymi się parametrami
procesu. Stwierdzono możliwość całkowitego usunięcia cienkich warstw
w procesie trawienia plazmą i w efekcie możliwość uszkodzenia podłoża warstw
trawionych co jednak wymaga dalszych badań w tym zakresie.

Pełny tekst (pdf)

Literatura

[1] Dąbrowski M., Frydrychowicz-Jastrzębska G.: Nowe materiały w fotowoltaicznym
przetwarzaniu energii, Zeszyty Naukowe Politechniki Poznańskiej, 2006, s41-64.
[2] Jastrzębska G.,: Ogniwa słoneczne. Budowa, technologia i zastosowanie, Wydawnictwo
Komunikacji i Łączności, Warszawa 2013.
[3] Gupta A., Parikh V., Alvin D., High efficiency ultra-thin sputtered CdTe solar cells,
Solar Energy Materials and Solar Cells Volume 90, Issue 15, 2006, s2263–2271.
[4] Batzill M, Diebold U.: The surface and materials science of tin oxide, Progress in
Surface Science, 2005.

Podsumowanie

TYTUŁ:
WPŁYW TRAWIENIA PLAZMĄ NA WYBRANE PARAMETRY CIENKICH WARSTW CdTe i SnO2 DLA ZASTOSOWAŃ FOTOWOLTAICZNYCH

AUTORZY:
Roman LICHOGRAJ (1)
Jan Marian OLCHOWIK (2)
Piotr LICHOGRAJ (3)
Sławomir CZERNIK (4)

AFILIACJE AUTORÓW:
(1) Państwowa Szkoła Wyższa im. Jana Pawła II, Biała Podlaska
(2) Politechnika Lubelska
(3) Państwowa Szkoła Wyższa im. Jana Pawła II, Biała Podlaska
(4) Państwowa Szkoła Wyższa im. Jana Pawła II, Biała Podlaska

WYDAWNICTWO:
Budownictwo i Inżynieria Środowiska
2015.57

SŁOWA KLUCZOWE:
tellurek kadmu, tlenek cyny, sputtering magnetronowy, rozpylanie
jonowe, modyfikacja powierzchni, ogniwa fotowoltaiczne

PEŁNY TEKST:
http://doi.prz.edu.pl/pl/pdf/biis/325

DOI:
10.7862/rb.2015.57

URL:
http://dx.doi.org/10.7862/rb.2015.57

DATA WPŁYNIĘCIA DO REDAKCJI:
2015-01-24

PRAWA AUTORSKIE:
Oficyna Wydawnicza Politechniki Rzeszowskiej, al. Powstańców Warszawy 12, 35-959 Rzeszów

POLITECHNIKA RZESZOWSKA im. Ignacego Łukasiewicza; al. Powstańców Warszawy 12, 35-959 Rzeszów
tel.: +48 17 865 11 00, fax.: +48 17 854 12 60
Administrator serwisu: